三菱电机(Mitsubishi Electric)日前新推出第五代L1系列智能功率模块，其将硅片温度传感器设置IGBT硅片正中央处，实现了更加精确迅速硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBT硅片技术，具有比L系列IPM更低损耗以及更加优化VCE与Eoff折衷曲线。L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式，同样电流电压等级L1系列IPM与L系列IPM封装完全兼容。此外，L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V小封装产品以满足客户节约成本需求。
三菱电机早1992年用IGBT作为功率开关器件集成最早智能功率模块。其IPM把功率开关器件和驱动电路集成一起，还内藏有欠电压、过电流和过热等故障检测电路，并可将故障检测信号输出到控制单元。三菱电机IPM具有体积小、开关速度快、功耗低、抗干扰能力强、无须防静电措施等优点，大大缩短了客户项目开发周期。
三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部长谷口丰聪先生说：“近年来，电力电子技术正朝大容量、高频化、模块化及智能化方向迅速发展，以提高装置功率密度，降低噪音，减小能耗和原材料消耗。三菱电机这种趋势下，推出第五代智能功率模块L1系列IPM，协助客户提高产品性能和系统可靠性。”
三菱电机IPM以其高可靠性尤其适合于电机驱动用变频器和伺服驱动器等。
三菱电机将携同最新推出第五代智能功率模块L1系列IPM，3月18至20日于上海新国际博览中心举行2008慕尼黑上海电子展（展位5102）上，为客户演示工业应用中新型功率器件。三菱电机展会期间，将现场滚动讲解各技术方案及其应用。
